珠海多创申请磁阻元件专利，用以拓宽磁场测量范围

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，珠海多创科技有限公司申请一项名为“一种磁阻元件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号 CN 119698229 A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明涉及磁场测量技术领域，公开一种磁阻元件及其制备方法、电子设备。该磁阻元件包括基体及位于基体上方的磁阻子元件和多个磁通调节块，多个磁通调节块包括彼此分离的第一磁通调节块、第二磁通调节块、第三磁通调节块及第四磁通调节块，用于形成具有稳定磁场的第一区域且第一区域的磁场强度为外部磁场的 N 倍，其中 N 为小于 1 的正整数；磁阻子元件位于第一区域内，具有面内的磁灵敏方向，用于在预设磁场强度范围内感应外部磁场的信息；本发明通过磁通调节块拓宽磁阻元件的磁场测量范围并通过磁通调节块的参数调整实现磁阻元件的磁场测量范围可控，还具有结构简单、易于实现的有益效果。

天眼查资料显示，珠海多创科技有限公司，成立于2018年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3342.1251万人民币，实缴资本3006.955万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海多创科技有限公司参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可22个。

本文源自：金融界

作者：情报员