晶合集成电路申请半导体器件制造方法专利，减小半导体器件的漏电流

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 119698053 A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，于所述衬底内的待处理区域形成致密阻挡层；于所述致密阻挡层上的所述衬底内形成第一栅极氧化层，且所述第一栅极氧化层的底部拐角区域延伸至所述致密阻挡层内，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑去除部分所述衬底使所述第栅极氧化层暴露于所述第一栅极氧化层上形成第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层至少延伸覆盖所述第一栅极氧化层两侧的所述衬底。本申请通过于衬底内形成致密阻挡层，阻止了后续注入的氧原子的过度扩散；通过形成底部拐角区域延伸至致密阻挡层内的第一栅极氧化层，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑，有利于分散电场，减小了半导体器件的漏电流。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目620次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1068条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员