上海积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，简化工艺流程降低成本

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN119894082A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：形成覆盖NMOS区域的衬底、第一牺牲栅极和第一掩膜层以及覆盖PMOS区域的衬底以及第二牺牲栅极部分侧壁的目标抗反射涂层，且PMOS区域的衬底顶面的目标抗反射涂层的厚度等于第一掩膜层顶面的目标抗反射涂层的厚度后，去除部分目标反射涂层，露出PMOS区域的衬底的顶面和第一掩膜层的顶面；去除部分目标反射涂层，露出PMOS区域的衬底的顶面和第一掩膜层的顶面；刻蚀PMOS区域的第二牺牲栅极两侧的衬底，在衬底内形成凹槽，同时刻蚀去除NMOS区域剩余的目标抗反射涂层、部分厚度的第一掩膜层和部分厚度的第二掩膜层；在凹槽中形成硅锗层。简化了工艺流程，降低成本。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1793次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1031条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员